RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3729
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link