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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
13.6
18.0
写入速度,GB/s
8.4
16.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3729
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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