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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 35
    左右 -52% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 3098

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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