RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3098
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link