RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link