RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link