RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link