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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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