RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
34
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link