RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link