RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3098
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link