RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2771
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link