RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3845
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link