RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
16.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3845
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link