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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
41
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3845
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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