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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
51
读取速度,GB/s
14.4
10.4
写入速度,GB/s
9.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2387
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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