RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
51
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2387
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link