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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2441
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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