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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2409
3593
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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