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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.6 left arrow 14.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 37
    En -32% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.6 left arrow 14.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2409 left arrow 2489

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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