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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3495
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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