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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3318
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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