RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3318
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link