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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2755
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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