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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
12.7
13.8
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2755
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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