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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3460
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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