RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2981
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link