RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
40
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2981
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link