RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2196
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link