RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2196
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link