RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2261
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link