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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2261
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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