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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3010
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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