RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2773
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link