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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3116
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Mushkin 991586 2GB
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Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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