RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3091
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link