RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3091
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link