RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
73
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2933
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link