RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3726
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link