RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
28
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
20
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3726
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link