RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3142
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link