Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 91

En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.7 6.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.5 4.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 8500

En 2.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 1214

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns