RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
91
Intorno 69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
4.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
91
Velocità di lettura, GB/s
12.7
6.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
4.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1214
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link