RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2154
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KV1RX3-HYC 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link