RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2154
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link