RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2147
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link