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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2147
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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