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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
12.7
写入速度,GB/s
7.5
7.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2147
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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