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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
14.1
9.8
写入速度,GB/s
9.5
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
2250
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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