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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
15.0
18.2
写入速度,GB/s
10.3
13.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3604
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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