RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3527
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link