RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3527
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link