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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 8500
    En 3.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 14.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 2663

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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